1931. 5. 4 Ãâ»ý, 1992. 5. 13 »ç¸Á
°´ë¿ø ¹Ú»ç
À̸§À» µé¾îº» »ç¶÷ÀÌ ¸¹Áö ¾ÊÀ» °Í °°´Ù. ¾Æ¸¶µµ ¿µ¿õÀ» ¸¸µéÁö ¾ÊÀ¸·Á´Â ¿ì¸®»çȸ¿Í °ü·ÃÀÌ ÀÖ´Â °ÍÀÎÁö ¾Æ´Ï¸é Çѱ¹ Çа質 »çȸ¸¦ ±â¿ô°Å¸®¸é¼ ¹º°¡ ¾ò¾î°¡·Á ÇÏÁö ¾Ê¾Ò±â ¶§¹®ÀÎÁö ¸ð¸£°Ú´Ù.?
ÇÏÁö¸¸, Çö´ë ´ëÇѹα¹À» ÅëƲ¾î¼ °¡Àå À¯¸íÇÑ ¹°¸®ÇÐÀÚ°¡ Benjamin W. Lee (ÀÌÈÖ¼Ò) ¹Ú»ç¶ó°í ÇÑ´Ù¸é, ´ëÇѹα¹ Å»ýÀ¸·Î Àηù ¿ª»ç¿¡ °¡Àå Å« ¿µÇâÀ» ¹ÌÄ£ »ç¶÷Àº Dawon Kahng (°´ë¿ø) ¹Ú»çÀÏ °ÍÀÌ´Ù. ¿Ö³Ä¸é °¹Ú»ç°¡ 29»ì¿¡ ¹ß¸íÇؼ 32»ì¿¡ ƯÇ㸦 ¾òÀº MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)Àº ÇöÀç ¼¼»ó¿¡¼ µ¹¾Æ°¡´Â ¸ðµç µðÁöÅ» ȸ·ÎÀÇ ±âº»ÀÌ µÇ´Â ¼ÒÀÚÀ̱⠶§¹®ÀÌ´Ù. °úÀåÇؼ ¸»ÇÏÀÚ¸é °¹Ú»çÀÇ ¹ß¸íÀÌ ¾ø¾ú´õ¶ó¸é ÇöÀçÀÇ µðÁöÅ» ¼ÒÀڵ鵵 ¾øÀ» °ÍÀÌ´Ù.?
°¹Ú»ç´Â 1931³â¿¡ Çѱ¹¿¡¼ ž¼ ¼¿ï´ë¸¦ Á¹¾÷ÇÏ°í ¹Ì±¹¿¡¼ 1959³â¿¡ ¿ÀÇÏÀÌ¿À ÁÖ¸³´ëÇÐ ÀüÀÚ°ú¿¡¼ ¹Ú»çÇÐÀ§¸¦ ¹Þ°í ±× ´ç½Ã ÃÖÃÊÀÇ Æ®·£Áö½ºÅÍ (Bipolar Junction Transistor)¸¦ ¹ß¸íÇÏ¿© °¡Àå Àß³ª°¡´Â ¿¬±¸¼ÒÀÎ Bell ¿¬±¸¼Ò¿¡ ÃëÁ÷ÇÑ´Ù. °ðÀÌ¾î ¼¸¥»ìµµ µÇ±â Àü¿¡ Àηù ¿ª»ç¸¦ ¹Ù²Û ¹ß¸íÀ» ÇÏ°Ô µÈ´Ù. ±×¸®°í 1967³â¿¡´Â »ç¶÷µéÀÌ ¿À´Ãµµ µé°í ´Ù´Ï´Â USB ¸Þ¸ð¸®¿Í MP3 Ç÷¹ÀÌ¾î µé¾î ÀÖ´Â Ç÷¹½¬ ¸Þ¸ð¸® (non-volatile floating-gate memory)µµ ÃÖÃÊ·Î ¹ß¸íÇß´Ù. 1988³â¿¡´Â ÀϺ» NEC°¡ ¹Ì±¹ ´ºÀúÁöÀÇ ÇÁ¸°½ºÅÏ¿¡ ±âÃÊ°úÇבּ¸¸¦ ¸ñÀûÀ¸·Î ¼¼¿î NEC Research LaboratoryÀÇ ÃÊ´ë ¼ÒÀåÀ» ¿ªÀÓÇÏ°í 1992³â¿¡ »ç¸ÁÇß´Ù.
¶Ç ±×´Â ¹Ì±¹ ±¹ºÎ(ÏÐÝ«)ÀÎ º¥ÀڹΠÇÁ·©Å¬¸°À» ±â¸®´Â ÇÁ·©Å¬??¿¬±¸¼Ò°¡ ¼ö¿©ÇÏ´Â ½ºÆ©¾îÆ® ¹ß·£Æ¾ ¸Þ´Þ°ú ¿ÀÇÏÀÌ¿À ´ëÇÐÀÇ Å¹¿ùÇÑ µ¿¹®»óÀ» ¹Þ±âµµ Çß´Ù. Ç÷©Å¬¸° ¿¬±¸¼ÒÀÇ ¸Þ´ÞÀº ¿¡µð½¼, ¾ÆÀν´Å¸ÀÎ µîÀÌ ¼ö»óÇÒ Á¤µµ·Î ¹Ì±¹ ³» °úÇÐÀڵ鿡°Ô´Â ÃÖ°í ¿µ¿¹·Î ÀÎÁ¤¹Þ´Â »óÀÌ´Ù.
°Ô´Ù°¡ ±×´Â 2009³â ¹Ì »ó¹«ºÎ »êÇÏ Æ¯ÇãûÀÇ ¹ß¸í°¡ ¸í¿¹ÀÇ Àü´ç(www.invent.org)¿¡ ¿À¸£±âµµ ÇÏ¿´´Ù
°±³¼ö¿Í °øµ¿À¸·Î MOSFETÀ» ¹ß¸íÇß´ø ¾ÆÅ»¶ó´Â °ø·Î¸¦ ÀÎÁ¤¹Þ¾Æ ³ëº§»óÀ» ¹Þ¾Ò´Âµ¥ °±³¼ö´Â ÀÏÂï µ¹¾Æ°¡¼Å¼ ¸ø¹Þ¾Ò´Ù´Â°Ô ÂüÀ¸·Î ¾ÈŸ±õ±âµµ ÇÕ´Ï´Ù Ãâó : °í·Á´ëÇб³ °íÆĽº 2024-05-17 13:04:37:
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